英特尔宣布，旗下Intel 18A家族首款效能强化版本Intel 18A-P进入风险试产（Risk Production）阶段，效能、功耗与散热表现都大跃进。
外界认为，这意味英特尔已朝争取苹果等大咖的晶片代工订单再迈进一大步，持续增强与台积电、三星同场竞逐先进制程晶圆代工大饼的底气。
综合外电报导，英特尔18A制程被视为是该公司扭转竞争颓势的关键，已经导入到其自有产品，但迄今尚未拿下大型外部客户。分析师认为，英特尔愿意让18A-P制程进入风险试产阶段，暗示著已准备迎接外部客户订单。
英特尔在16日于夏威夷举行的2026年VLSI研讨会上，公布英特尔晶圆代工（Intel Foundry）最新制程蓝图与长期投资的进展。
英特尔执行副总裁暨英特尔晶圆代工总经理Naga Chandrasekaran表示，在研讨会所分享的最新进展，再次展现英特尔长期投入先进制程创新的承诺。
英特尔指出，相较Intel 18A制程，Intel 18A-P在相同功耗下，可提供最高达9%的效能提升；或在相同效能下，可降低最高18%功耗，并具备更优异的散热表现与更大的设计弹性。
同时，Intel 18A-P具备最新Power Boost技术，采用全新的双接点（dual contact）及低电阻电晶体设计，在相同电容下提升驱动电流，能进一步提高运作频率，透过材料与设计创新，可提升20%至40%的散热效能。
另外，透过几何结构与材料最佳化，可将晶片层间垂直互连通孔（Via）电阻降低10%至30%，提升讯号传输效率。
英特尔并提到，Intel 18A-P与Intel 18A的设计规格完全相容，可直接沿用既有IP与设计流程，加速产品开发。
另一方面，英特尔去年于Intel 18A制程导入环绕式闸极（GAA）电晶体与背面供电技术，这次于VLSI研讨会上，也进一步展现这两项核心技术如何为未来逻辑晶片提供更高效能、更佳能源效率及持续微缩能力奠定基础。
英特尔晶圆代工副总裁暨院士Eric Karl在会中展示该公司如何量化背面供电与环绕式闸极电晶体带来的技术优势。他指出，相较于传统正面供电互连架构，此技术可减少11%的布线面积，并将动态电压骤降减少达十倍，进而实现最高6%的频率提升，或降低超过15%的动态功耗。