三星电子、SK海力士、美光科技（Micron）等举世前三大记忆体制造商正争相扩张记忆体产能，力求填补人工智慧基础（AI）建设热潮所带来的供应缺口。
世界半导体贸易统计组织（WSTS） 估算，全球半导体市场规模今年料将激增90%至1.51兆美元，其中，光记忆体晶片的市场规模，预料将暴增250%至8,039亿美元。
这三家记忆体大厂正加速投资新的晶圆厂、先进封装、及晶片制造设备，以在新的需求浮现前，确保产能供应。尽管外界忧心AI荣景接近触顶，然而，产业主管与分析师预期，高频宽记忆体（HBM）晶片与传统DRAM，未来几年供应仍将保持紧俏。
在三大记忆体制造商领军下，今年的整体产业投资料将上看200兆韩元（1,290亿美元）。
三星正透过京畿道平泽与龙仁、以及西南部规划中的「全南光州统合特别市」相关计划，扩大记忆体生产版图。同时也在兴建平泽P5厂区，并力求把龙仁首座晶圆厂的投产日期提前至2029年下半年，较原定提早一至两年。
三星也已宣布，计划在拟议中的光州半导体聚落投资400兆韩元，兴建两座记忆体晶圆厂。这些设施预料将增产AI伺服器使用的先进DRAM及其他记忆体产品。
SK海力士计划利用在那斯达克挂牌筹得的265亿美元，扩充晶圆生产与先进封装产能。这笔资金将用于兴建龙仁半导体聚落的首座晶圆厂、清州P&T7先进封装厂，以及添购更多极紫外光（EUV）微影设备。SK海力士也公布计划，将在拟议中的光州半导体聚落投资约400兆韩元，兴建两座记忆体晶圆厂。
随华府推动更多半导体制造回流美国，美光也正加码投资。该公司规划在2035年前于美国投资逾2,500亿美元，包括在纽约州与爱达荷州兴建新的记忆体晶圆厂，并扩建维吉尼亚州厂区。美光的目标是，将在美国生产的DRAM占比，由目前的个位数百分比提高至40%。
尽管业界掀起投资热潮，但重大的新增产能预料到2027年下半年才会投产，可能会让记忆体价格持续居高不下。
供应受限也为中国大陆记忆体制造商长鑫存储（CXMT）创造切入机会。根据Counterpoint Research，长鑫存储第1季全球DRAM市占率已从一年前的3%增至8%；另据报导，苹果也考虑在中国大陆销售的装置中，采用长鑫存储晶片，以降低零组件成本。