中国大陆最大动态随机存取记忆体（DRAM）制造商长鑫存储，正推动在上海科创板首次公开发行股票（IPO）的计划，目标是筹资约人民币295亿元（43亿美元）来扩张产能。南韩媒体报导，长鑫存储透过IPO筹措提高产能所需资金的计划，已让记忆体周期前景蒙上阴霾。
长鑫存储据传最快6月挂牌上市，由于新产能启用可能适逢当前记忆体周期开始成熟，这项上市计划已让外界加强关注全球记忆体市场供给前景。韩国前锋报报导，长鑫存储提高记忆体产量，将推升市场更平衡甚至更宽松的风险。
长鑫存储已借由扩大供给DDR4等通用DRAM打乱市场，导致三大业者三星、SK海力士和美光承压。截至去年第3季结束长鑫存储全球DRAM市占率达到5%，比一年前上升2个百分点，产能利用率也上升至94.6%。
长鑫存储产量增加，可能导致点燃最近记忆体周期的供给吃紧情势开始舒缓，进而降低提前采购需求。记忆体价格大跌不是基本情境，分析师预期价格上涨将减速，但这仍将直接冲击获利动能。
三星和SK海力士在高频宽记忆体（HBM）加持下获利亮眼，但通用DRAM仍贡献大量营收。如果价格涨幅小于预期，获利成长可能丧失动能。业内消息人士说：「高价值产品正快速成长，但仍不足以改变整体结构。如果通用记忆体价格走弱，获利成长势必会减速。」
除了影响DRAM短期供给，从长期来看，市场版图也可能改变。长鑫存储透过IPO筹措的资金，也可能用于HBM等价值较高领域。如果长鑫存储开发出具竞争力的HBM能力，市场结构可能从三强鼎立转变为四强，进而挑战三星、SK海力士和美光主宰地位。