英特尔正与软银子公司SAIMEMORY携手开发新一代记忆体技术，以取代目前主流的高频宽记忆体（HBM）。根据TechPowerUp报导，SAIMEMORY6月将在2026年VLSI研讨会上介绍其利用Z-Angle Memory（ZAM）技术开发的HB3DM记忆体架构。
HB3DM的主要特色是其超高频宽表现。报导指出，英特尔有望实现每平方公厘约0.25 Tb/s的记忆体频宽，换算在171平方公厘晶片上，每10 GB模组的频宽约为5.3 TB/s，性能将超越HBM4方案，后者每堆叠频宽约2 TB/s，不到HB3DM预估效能的一半。
在设计方面，第一代 HB3DM将采用九层堆叠结构，并使用混合键结（hybrid bonding）技术实现3D整合。底层逻辑层负责资料传输，上面覆盖八层DRAM储存层，每层约配置13,700个TSV（矽通孔）以支援混合键结架构。在容量方面，HB3DM每层可提供约1.125 GB的容量，每个模组的总容量约为10 GB，明显低于HBM4最高可达48GB的规格，显示HB3DM目前仍以频宽优先。
目前尚不清楚HB3DM的量产时程以及DRAM的供应来源，不过英特尔的参与可能意味其未来有机会重新开始生产DRAM，但仍有其不确定性。
英特尔和软银正透过SAIMEMORY合作推动新记忆体技术的开发。根据日经XTECH报导，两家公司正在开发的ZAM技术，专为人工智慧（AI）训练和推论而设计，目标是在2027年度推出原型，并于2029年度实现商业化。
根据东京电视台商业频道报导，SAIMEMORY记忆体晶片并非采用传统的水平堆叠设计，而是采用垂直排列，并结合专有的无线技术，无需直接与电路板接触，有助于改善散热并降低功耗，据说能比传统HBM降低约40%的功耗。