消息人士透露，三星电子计划下个月开始生产新一代高频宽记忆体晶片HBM4，可能是首批供货给辉达厂商之一，显示该公司缩小与对手SK海力士的差距，且可能是三星在HBM市场的转捩点。
韩媒引述知情人士报导，三星HBM4近来通过辉达和超微（AMD）的最终认证，下月将量产出货，预计用于下半年发布的AI加速器，包括辉达Rubin、超微MI450。彭博资讯消息略有不同，指出三星HBM4「即将」取得辉达的最终认证。
韩媒表示，业界观察家说，三星HBM4为缩小差距，大胆决定采第六代10奈米（1c）DRAM制程，加上逻辑晶粒使用4奈米制程。
AI晶片大厂传出修改认证基准，提高速度要求，但放宽热度限制，专家表示：「市场需求改变，提高速度门槛，同时允许更高的运作温度。尽管DRAM 1c制程的初期良率非常低，三星仍决定推动，似乎是达到要求的关键」。相形之下，SK海力士的HBM4，采第五代10奈米（1b）DRAM制程，逻辑晶粒则请台积电（2330）以12奈米生产。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});