消息传出，陆企长鑫存储（CXMT）开始秘密研发下代记忆体「键合DRAM」（bonding DRAM），这种记忆体能让效能和容量最佳化，被视为能颠覆业界的新产品，且只须使用深紫外光（DUV）微影设备就能生产，无须用到在中国遭禁的极紫外光（EUV）。
综合科技媒体Wccftech、韩媒Korea Economic Daily的报导，微凸块（microbumps）是连接DRAM晶片的传统方式，长鑫存储以「晶圆对晶圆混合键合」（W2W）取而代之，让两片晶圆准确对齐并熔合。W2W又称键合DRAM，长鑫存储似乎在安徽合肥测试这种技术，目标要量产高密度记忆体。
键合DRAM的另一特点是拆分记忆体阵列与周边控制逻辑电路，把两者放在不同晶圆上。如此一来，能用不同制程生产，以确保最佳结果，这两大技术突破下，可以去除占用空间的传统微秃块，避免提高延迟性或增加寄生电阻。
高密度DRAM靠著缩短导线长度来降低耗电，加快传输速度，且不需放大晶圆尺寸就能办到。这能释出晶圆上的珍贵空间，安装其他零组件。
不只如此，据了解长鑫存储也快要开发出高频宽记忆体（HBM），该公司把20%产线改为专门生产HBM，把未来赌在能研发出HBM3和HBM3E。
分析师指出，中国HBM技术原本落后南韩五年，如今缩短至大约三年。首尔大学电子资工教授崔宇英（音译）说，中国AI晶片商华为等，若在本土市场优先采用这种技术，并取得实际经验，良率和稳定性可能会比预期更快出现进展。
