由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的大陆首台串列型高能氢离子注入机（离子植入机）成功出束（发射），核心指标达到国际先进水准。代表大陆已全面掌握串列型高能氢离子植入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节。
离子植入机是一种低温制程，透过该制程，可将特定离子在电场里加速，然后嵌入到另一固体靶材之中。与曝光机、刻蚀机、薄膜沉积设备，被称为「晶片制造四大核心设备」。
财联社报导，此次高能氢离子植入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升大陆在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力「双碳」目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。
长期以来，大陆高能氢离子植入机完全依赖国外进口，研发难度大、技术壁垒高，是制约大陆战略性产业升级的瓶颈之一。原子能院依托在核子物理加速器领域数十年的深厚累积，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，完全掌握了串列型高能氢离子值入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。
目前全球离子植入机市场由少数几家企业高度垄断，前三大厂商分别为美国应用材料（Applied Materials）、艾科赛斯（Axcelis Technologies）、日本日新电机（Nissin Ion Equipment），市占分别为60%、20%、10%。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});