7月10日,SK海力士首席执行官郭鲁正在公司登陆纳斯达克之际表示,2027年可能成为存储行业历史上供应最紧张的一年。
尽管SK海力士正在加快扩充产能,但存储需求持续增长,现有产能仍然受到制约。郭鲁正预计即使到了2030年以后,客户需求仍可能高于公司的供应能力。
SK海力士此次以美国存托凭证形式登陆纳斯达克,发行价为每份149美元,开盘价达到170美元,首日收于168.01美元,较发行价上涨约12.8%。此次发行募集资金约265亿美元(约合人民币1796亿元),认购倍数超过七倍。
面对人工智能带来的存储需求增长,SK集团正参与韩国政府推动的半导体扩产计划,并宣布将在韩国国内投入约1100万亿韩元(约合人民币4.97万亿元),用于扩大存储芯片及相关基础设施供给。
其中,SK海力士计划向京畿道龙仁半导体产业集群投入约600万亿韩元(约合人民币2.71万亿元),重点扩大DRAM和HBM产能。龙仁集群规划建设四座晶圆厂,首座工厂已于2025年开工,计划于2027年完成建设,主要生产包括HBM在内的下一代DRAM产品;整个龙仁产业集群的完工时间也由原定的2045年提前至2033年,加快产能释放。
SK海力士还计划在清州投入约100万亿韩元(约合人民币4520亿元),扩大NAND闪存及相关测试、封装能力,相关新增产能预计自2029年前后逐步投入使用。
此外,SK海力士计划再投入约400万亿韩元(约合人民币1.8万亿元),在韩国西南部建设新的半导体产业集群,规划建设两座存储芯片晶圆厂。
在美国,SK海力士则正于印第安纳州建设HBM先进封装和研发基地,计划投资约38.7亿美元(约合人民币262亿元),计划在2028年下半年投产HBM4E和HBM5。
郭鲁正透露,SK海力士还在评估在美国建设完整晶圆厂的可能性。目前海力士尚未作出决定。土地、电力、水资源、熟练工人和制造成本将是选址的主要条件,日...