为增进NAND快闪记忆体的资讯处理容量、速度，制造商SanDisk押注NAND堆叠技术，提出HBF（高频宽快闪记忆体）方案，要采用与HBM（高频宽记忆体）类似架构，垂直堆叠多层NAND Flash。SanDisk寄望未来能运用此技术，生产高阶快闪记忆体，突破HBM短缺瓶颈，继续把握人工智慧（AI）商机。
美国科技资讯网站Wccftech报导，SanDisk的NAND堆叠技术， 是透过多重矽穿孔导通（TSV），连接每一层堆叠的NAND，将之封装整合成单一堆叠体。目前，单组HBM堆叠容量约为32GB至64GB，而HBF有望将容量最大扩展至4TB。
专家指出，NAND堆叠虽然能够解决容量与一些速度问题，但未来要符合AI与高效能运算（HPC）的需求，目前还需要再精进。SanDisk现已申请到最新技术专利，以3D堆叠技术，将采用CMOS 键合阵列（CBA）架构的NAND Flash记忆体模组，直接放置于主要运算晶片下方；主要晶片可以是AI加速器或是绘图处理器（GPU）。
SanDisk这个方案，保留HBM DRAM在同一中介层，与NAND Flash各自负责不同目的的工作。HBM立即高速处理资料，NAND Flash记忆体模组则负责大容量储存与读写操作。由于NAND Flash与运算晶片之间采用更宽的连接介面，因此有望在速度、成本与功耗之间取得更佳平衡。
然而，这项专利短期内恐怕还难推出商业化产品，需要克服的门槛包括：功耗、散热、封装成本、制造良率等。SanDisk目前推向市场、并朝标准化发展的产品，仍以较为务实且容易商业化的「并排配置」（Beside）架构为主。