韩媒The Bell报导，在短暂中止开发后，三星电子已重启1.4奈米晶片（SF1.4）制程，目标是2029年量产。
报导指出，由于开发2奈米制程进展顺利，三星电子向应用材料、科林研发等关键设备合作伙伴，提供其1.4奈米的路线图，并要求他们开始1.4奈米制程所需的工具进行深度开发。
知情人士透露，三星电子已在其NRD-K工厂安装了ASML的高数值孔径极紫外光（EUV）微影设备，这些设备将用于1.4奈米及后续制程的特定电路层。
三星也把原定2027年量产1.4奈米晶片的目标，延到2029年，因该公司将重心转向强化其2奈米（SF2）和第二代2奈米（SF2P）晶片，从激进推动先进制程，转为追求良率稳定、以及制程最佳化。因此，据悉三星下一代旗舰手机处理器Exynos 2800，将改用强化版的2奈米晶片，而非原先规划的1.4奈米晶片。
相形下，台积电目标是最快在2027年第3季进行1.4奈米制程的试产，2028年下半年实现量产。且台积电高层在2026年北美技术论坛表示，为节省开支，2029年底之前不会在晶片生产中部署ASML的高数值孔径EUV曝光机。
至于英特尔，路透报导，该公司18A-P已进入试产。而且该公司据传目标是2018年风险生产（risk production）14A制程，接著在2029年量产。
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