在总统审阅期结束后，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会于5月7日作出的最终裁定获确认维持。该裁定确认英诺赛科侵犯英飞凌一项涉及氮化镓（GaN）技术的专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口与销售禁令。
英飞凌资深副总裁暨 GaN 系统事业线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：「此项裁决再次彰显英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础，也进一步体现了我们积极保护英飞凌的专利组合，捍卫公平竞争环境的承诺。凭借业界领先的 300 毫米 GaN 制造能力，我们具备独特的优势，能规模化推动创新，提供客户所需的效能、品质与成本优势，加速低碳化与数位化转型。」
这项美国国际贸易委员会的最终裁定，为英飞凌在 GaN 智慧财产相关诉讼中的持续胜诉再添一笔。在德国同步进行的诉讼中，慕尼黑地方法院（Landgericht München I）已分别于 2025 年 8 月、2026 年 6 月及 2026 年 7 月初裁定英诺赛科侵犯了英飞凌的三项专利与一项新型专利。德国法院的裁决禁止英诺赛科在德国境内进口、销售与行销相关侵权产品，并裁定英诺赛科须向英飞凌支付损害赔偿。
英飞凌是 GaN 市场中领先的整合元件制造商（IDM），拥有业界最广泛的智慧财产组合，包含约 450 个 GaN 专利家族。GaN 在实现高效能、节能的电源系统方面扮演关键角色，应用领域涵盖再生能源系统、AI 资料中心、工业自动化以及电动车等。凭借更高的功率密度、更快的切换速度与更低的功率损耗，GaN 半导体能实现更小型化的设计，降低能耗与热量产生。作为电源系统的领导者，英飞凌在矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）这三种关键半导体材料领域都处于产业领先地位，并持续推动技术进步。
