南韩科技巨头三星正扩大与辉达的合作关系，不仅涵盖DRAM、高频宽记忆体（HBM）晶片与晶圆代工，如今也进一步加强供应储存型快闪记忆体（NAND Flash）。
这意味全球记忆体需求持续强劲，辉达为满足AI愈来愈强大的推理与生成功能，需要更多储存晶片支援，因而扩大与三星在NAND晶片合作。
《首尔经济日报》引述消息人士报导，三星凭借庞大产能，将扩大对辉达供应旗舰级第九代V–NAND（V9），同时也开始量产并交付第十代V–NAND（V10），并加速研发最多堆叠500层的V11。
随辉达等科技巨头对AI伺服器等级的NAND晶片需求激增，三星迅速把产线转向V9；目前该公司把约60%的V-NAND产能分给V9，使其跃居主力产品。