AI重点
- SK海力士传洽谈收购英特尔俄亥俄州半导体园区。
- 目标在五年内于美国启动记忆体前段制程生产。
- 交易可助英特尔回收资金，也回应美方在美设厂要求。
SK海力士（SK Hynix）表示，没有计划收购英特尔（Intel）位于俄亥俄州的晶圆厂设施。此前有南韩媒体报导，SK海力士正洽谈收购英特尔俄亥俄州兴建中的半导体园区，目标是在未来五年内于美国生产记忆体。
根据彭博报导，SK海力士发言人在电话中表示：「我们没有任何收购计划。」
英特尔发言人则表示：「英特尔仍然致力于俄亥俄州的投资，我们将持续投入资源，加速该园区的建设与就绪进程。」
稍早，南韩中央日报曾独家报导，援引未具名业界人士消息，报导SK海力士洽谈收购的消息，并指出SK海力士正进行与此次收购相关的内部审查及政府核准程序，而双方也仍在协调交易金额与时程。
报导说，对SK海力士而言， 这桩交易可让公司符合美国政府要求半导体企业在美国本土设厂生产的政策方向；对英特尔而言， 则可透过出售资产获得资金，为其努力寻找出路的晶圆代工事业挹注现金流，缓解财务压力。
英特尔于2022年在俄亥俄州新奥尔巴尼动工兴建半导体园区，为40年来首座全新制造基地，迄今已完成大量基础工程，包括混凝土浇置及钢构搭建。整座园区占地约405万平方公尺，规模足以容纳八座晶圆厂。英特尔估计，若将整个园区全面开发完成，需耗资约1,000亿美元。
但后来英特尔在财务压力下，去年宣布大规模裁员与削减资本支出，并将俄亥俄州工厂的投产时间延后至 2030至2031年。
韩媒分析，对SK海力士来说，收购这座大部分基础建设已完成的园区，不仅能快速取得美国制造基地，也能回应华府要求扩大在美投资的政策压力。此前，川普政府一直要求三星电子与SK海力士扩大在美国的投资，以推动美国建立自主半导体制造能力。
目前三星正投资约370亿美元，在德州泰勒兴建先进晶圆代工与研发中心，预定明年开始营运；SK海力士投资约38.7亿美元，在印第安纳州兴建高频宽记忆体（HBM）封装厂，目标于2028年投入营运。
但美方仍要求韩厂进一步加码，美国商务部长卢特尼克10日出席美光纽约州新厂活动时表示，希望能将 三星电子与SK海力士更多的生产设施带到美国设厂。业界人士普遍解读，卢特尼克的谈话代表美方希望韩厂不只是在美国设立晶圆代工与先进封装产能，而是进一步建立前段记忆体制造能力，包括DRAM晶片生产。
