大陆半导体刻蚀设备龙头中微公司23日发布公告称，受到先进逻辑和记忆体件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，以及先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进记忆体件超高深宽比刻蚀工艺实现量产公司预计2025年净利润为人民币20.8亿元至21.8亿元，与上年同期相比年增约29%至35%。
公告指出，公司主营产品等离子体刻蚀设备作为半导体前道核心设备之一，市场空间广阔，技术壁垒较高。公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可。
具体到已有产品市场上，中微公司表示，电容耦合等离子体刻蚀（CCP）方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，能够全面覆盖记忆体刻蚀应用中各类超高深宽比需求；感应耦合等离子体（ICP）方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展，加工的精度和重复性已达到单原子水准。到2025年底，刻蚀设备反应台全球累计出货超过6800台。
值得一提的是，中微公司近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单。
其中，低压化学气相沉积（LPCVD）设备累计出货量突破三百个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发专案正在顺利推进；公司外延生长（EPI）设备已顺利进入用户端量产验证阶段，该种设备同时也付运至先进制程客户进行验证，部分先进工艺已进入量产验证阶段。
公司几款金属有机化学气相沉积（MOCVD）新产品进入用户端验证阶段；新型8吋碳化矽外延设备、新型红黄光LED应用的设备已付运至境内领先客户开展验证；
新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需求，已在用户端进行量产验证；常压外延设备现已完成开发，进入工艺验证阶段；在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至用户端进行验证。
此外，中微公司在南昌约14万平方公尺的生产和研发基地、上海临港的约18万平方公尺的生产和研发基地已经投入使用，保障了公司销售快速增长。
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